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Référence fabricant

SI7880ADP-T1-E3

Single N-Channel 30 V 0.003 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SI7880ADP-T1-E3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.003Ω
Rated Power Dissipation: 83|W
Qg Gate Charge: 125nC
Style d'emballage :  POWERPAK-SO-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
Vishay was founded in 1962 and is now one of the world’s largest manufacturers of discrete semiconductors.  The PowerPAK’s innovative leadless packaging provides a direct thermal path between the power MOSFET die and the natural heat sink supplied by the printed circuit board. The thermal path is established by soldering the die-attach copper pad directly to the PCB. This leadless technology also provides for ultra-thin package profiles

The Si7880ADP features a new low thermal resistance PowerPAK® and TrenchFET® Power MOSFET Technology.  This 30V N-channel device in the PowerPAK SO-8 package, features maximum on-resistance of 30 milliohms at a 30-V gate drive voltage. Specifically designed for DC/DC converters (low-side MOSFET in synchronous buck in desktops) and secondary synchronous rectifiers.

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
3 000
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
3 930,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$1.31
Product Variant Information section