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Référence fabricant
STB100N6F7
Single N-Channel 60 V 5.6 mOhm 30 nC 125 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STB100N6F7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB100N6F7&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb100n6f7-stmicroelectronics-2070425
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STMicroelectronics STB100N6F7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 5.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 125W |
| Qg Gate Charge: | 30nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 100A |
| Turn-on Delay Time: | 21.6ns |
| Turn-off Delay Time: | 28.6ns |
| Rise Time: | 55.5ns |
| Fall Time: | 15ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 4.6mm |
| Length: | 1.4mm |
| Input Capacitance: | 1980pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.805
2 000
$0.79
3 000
$0.785
4 000
$0.78
5 000+
$0.77
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount