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Référence fabricant

STD12NF06T4

N-Channel 60 V 0.1 Ohm Surface Mount STripFET™ II Power MosFet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STD12NF06T4 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.1Ω
Rated Power Dissipation: 30W
Qg Gate Charge: 10nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 12A
Turn-on Delay Time: 7ns
Turn-off Delay Time: 17ns
Rise Time: 18ns
Fall Time: 6ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3V
Input Capacitance: 315pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
2500
Total 
1 175,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.24
5 000
$0.235
37 500+
$0.23
Product Variant Information section