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Référence fabricant
STD4NK80ZT4
N-Channel 800 V 3.5 Ω 80 W Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STD4NK80ZT4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STD4NK80ZT4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/std4nk80zt4-stmicroelectronics-4055939
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STMicroelectronics STD4NK80ZT4 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 80|W |
| Qg Gate Charge: | 22.5nC |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
In addition to pushing on-resistance significantly down, it also ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements STs' full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products. It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 150 °C and available in a DPAK Package.
Features:
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt capability
- Very low intrinsic capacitance
- Gate charge minimized
- Very good manufacturing repeatibility
Applications:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount