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Référence fabricant
STD86N3LH5
STD86N3LH5 Series 30 V 0.005 Ohm 80 A N-Channel STripFET H5 Power Mosfet-DPAK-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2331 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STD86N3LH5 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STD86N3LH5&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/std86n3lh5-stmicroelectronics-6138487
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STMicroelectronics STD86N3LH5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 70W |
| Qg Gate Charge: | 14nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 80A |
| Turn-on Delay Time: | 6ns |
| Turn-off Delay Time: | 23.6ns |
| Rise Time: | 14ns |
| Fall Time: | 10.8ns |
| Gate Source Threshold: | 1.8V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 1850pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.575
5 000
$0.565
10 000
$0.56
12 500+
$0.55
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount