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Référence fabricant

STP12N120K5

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP12N120K5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.69Ω
Rated Power Dissipation: 250W
Qg Gate Charge: 44.2nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 12A
Turn-on Delay Time: 23ns
Turn-off Delay Time: 68.5ns
Rise Time: 11ns
Fall Time: 18.5ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 1370pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
5 040,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$5.21
150
$5.14
250
$5.11
750
$5.04
1 250+
$4.98
Product Variant Information section