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Référence fabricant
TSM280NB06LCR RLG
60V,28A,39mOhm 8-PDFN
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| Nom du fabricant: | Taiwan Semiconductor | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2330 | ||||||||||
Product Specification Section
Taiwan Semiconductor TSM280NB06LCR RLG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=TSM280NB06LCR RLG&field4=Taiwan Semiconductor&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/tsm280nb06lcr-rlg-taiwan-semiconductor-2177200
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Taiwan Semiconductor TSM280NB06LCR RLG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 28mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.1W |
| Qg Gate Charge: | 18nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 7A |
| Turn-on Delay Time: | 1ns |
| Turn-off Delay Time: | 10ns |
| Rise Time: | 19ns |
| Fall Time: | 18ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 969pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.29
5 000
$0.285
7 500
$0.28
25 000+
$0.275
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount