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Référence fabricant
AIMBG120R010M1XTMA1
N-Channel 1200 V 205 A Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - PG-TO-263-7
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-7 (D2PAK7) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon AIMBG120R010M1XTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=AIMBG120R010M1XTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/aimbg120r010m1xtma1-infineon-7190826
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Infineon AIMBG120R010M1XTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 205A |
| Input Capacitance: | 5703pF |
| Power Dissipation: | 882W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-263-7 (D2PAK7) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$28.88
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage :
Surface Mount