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Infineon | IMBG65R163M1HXTMA1

Référence fabricant

IMBG65R163M1HXTMA1

650 V 17A 85W N-Channel SMT CoolSiCTM M1 SiC Trench Power MOSFET-PG-TO263-7-12

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IMBG65R163M1HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 17A
Input Capacitance: 320pF
Power Dissipation: 85W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  PG-TO-263-7
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
1 890,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.89
2 000
$1.88
3 000
$1.87
4 000+
$1.86
Product Variant Information section