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Référence fabricant
IMCQ120R010M2HXTMA1
CoolSiC Series 1200 V 195 A 10 mOhm Single N-Channel SiC MOSFET - PG-HDSOP-22
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :750 par Style d'emballage :HDSOP-22 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2527 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMCQ120R010M2HXTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Malaisie
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
-
https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMCQ120R010M2HXTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imcq120r010m2hxtma1-infineon-6208089
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMCQ120R010M2HXTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imcq120r010m2hxtma1-infineon-6208089
Infineon IMCQ120R010M2HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 195A |
| Input Capacitance: | 6320pF |
| Power Dissipation: | 880W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | HDSOP-22 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
90
États-Unis:
90
Sur commande :
0
Délai d'usine :
30 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$24.26
10
$21.76
40
$20.25
125
$19.02
400+
$17.75
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
750 par
Style d'emballage :
HDSOP-22
Méthode de montage :
Surface Mount