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Le 1200 V SiC refroidi par le dessus atteint de nouveaux niveaux de performance
La famille CoolSiC Génération 2 de MOSFET en carbure de silicium d’Infineon offre une performance thermique, une fiabilité et une efficacité énergétique exceptionnelles. Logé dans un boîtier Q-DPAK refroidi sur le dessus avec .XT, ces MOSFETs de 1200 V, 10 mΩ surpassent les générations précédentes tant en durabilité qu’en performance de commutation.
La solution Q-DPAK simplifie l’assemblage, réduit les coûts du système et permet une plus grande flexibilité de conception, ce qui la rend idéale pour un large éventail d’applications industrielles.
IMCQ120R010M2H Fiche technique
MOSFET CoolSiC™ 1200 V SiCNote d’application
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