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Infineon | IMCQ120R026M2HXTMA1

Référence fabricant

IMCQ120R026M2HXTMA1

N-Channel 1200 V 82 A 405 W Surface Mount Power Transistor - Q-DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2413
Product Specification Section
Infineon IMCQ120R026M2HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 82A
Input Capacitance: 2.54nF
Power Dissipation: 405W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  PG-HDSOP-22
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
90
États-Unis:
90
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
11,15 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$11.15
10
$9.93
40
$9.20
125
$8.60
400+
$7.98
Product Variant Information section
Resources, Articles, News & Events
article Infineon — IMCQ120R010M2H CoolSiC™ MOSFET
2025-12-04
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