Référence fabricant
MJH11019G
MJH Series 200 V 15 A Complementary Darlington Silicon Power Transistor - TO-218
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-218 (SOT-93) Méthode de montage :Flange Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi MJH11019G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi MJH11019G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | PNP |
| Type: | Darlington |
| CE Voltage-Max: | 200V |
| Collector Current Max: | 15A |
| DC Current Gain-Min: | 400 |
| Style d'emballage : | TO-218 (SOT-93) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Fonctionnalités et applications
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. The MJH11017, MJH11019, MJH11021 (PNP); MJH11018, MJH11020, MJH11022 (NPN) are complementary devices.
Features:
- High DC Current Gain @ 10 Adc
- hFE = 400 Min (All Types)
- Collector-Emitter Sustaining Voltage
- VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) MJH11018, 17
- VCEO(sus) = 200 Vdc (Min) - MJH11020, 19
- VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) - MJH11022, 21
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A
- VCE(sat) = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A
- Monolithic Construction
- Pb-Free Packages are Available
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$3.39
90
$3.33
120
$3.32
300
$3.28
450+
$3.23
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-218 (SOT-93)
Méthode de montage :
Flange Mount