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Référence fabricant
AFGB40T65SQDN
650V 40A FS4 High speed version, for OBC application in D2pak IGBT
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi AFGB40T65SQDN - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=AFGB40T65SQDN&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/afgb40t65sqdn-onsemi-1176077
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onsemi AFGB40T65SQDN - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 80A |
| Power Dissipation-Tot: | 238W |
| Gate - Emitter Voltage: | ±20V |
| Pulsed Collector Current: | 160A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.6V |
| Turn-on Delay Time: | 17.6ns |
| Turn-off Delay Time: | 75.2ns |
| Qg Gate Charge: | 76nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 131ns |
| Leakage Current: | 400nA |
| Input Capacitance: | 2495pF |
| Thermal Resistance: | 0.63°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$2.84
1 600
$2.82
2 400+
$2.80
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount