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Infineon | BSC037N08NS5ATMA1

Référence fabricant

BSC037N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2514
Product Specification Section
Infineon BSC037N08NS5ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 3.7mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5W
Qg Gate Charge: 58nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 100A
Turn-on Delay Time: 14ns
Turn-off Delay Time: 26ns
Rise Time: 10ns
Fall Time: 7ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.8V
Input Capacitance: 4200pF
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
10 000
États-Unis:
10 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
3 450,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$0.69
Product Variant Information section