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Diodes Incorporated | DMG6402LDM-7

Référence fabricant

DMG6402LDM-7

N-Channel 30 V 27 mOhm 1.12 W SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-26

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG6402LDM-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 27mΩ
Rated Power Dissipation: 1.12W
Qg Gate Charge: 9.2nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 5.3A
Turn-on Delay Time: 3.41ns
Turn-off Delay Time: 13.92ns
Rise Time: 6.18ns
Fall Time: 2.84ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1.5V
Input Capacitance: 404pF
Style d'emballage :  SOT-23-6 (SOT-26)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
2 223 000
Délai d'usine :
24 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
339,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.113
9 000
$0.111
15 000
$0.11
30 000
$0.109
60 000+
$0.107
Product Variant Information section