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onsemi | FDD86102

Référence fabricant

FDD86102

N-Channel 100 V 0.024 Ω SMT Shielded Gate PowerTrench Mosfet - DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FDD86102 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 24mΩ
Rated Power Dissipation: 3.1|W
Qg Gate Charge: 13.4nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
2 062,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.825
5 000
$0.815
7 500+
$0.80
Product Variant Information section