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Référence fabricant
FQPF9N90CT
N-Channel 900 V 1.4 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220F
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Flange Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
onsemi FQPF9N90CT - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FQPF9N90CT&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fqpf9n90ct-onsemi-9049701
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FQPF9N90CT&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fqpf9n90ct-onsemi-9049701
onsemi FQPF9N90CT - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 900V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 68|W |
| Qg Gate Charge: | 58nC |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Fonctionnalités et applications
The FQPF9N90CT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies.
Key Features:
- 8.0 A, 900V, RDS(on) = 1.4 ? @VGS = 10 V
- Low gate charge ( typical 45nC)
- Low Crss ( typical 14pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Flange Mount