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STMicroelectronics | STB13NM60N

Référence fabricant

STB13NM60N

N-Channel 650 V 0.38 Ω Surface Mount MDmesh II Power MosFet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STB13NM60N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.36Ω
Rated Power Dissipation: 90|W
Qg Gate Charge: 30nC
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The STB13NM60N is a N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology.

This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features:

  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

Applications:

  • Switching applications
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
2 550,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$2.55
2 000
$2.53
3 000+
$2.51
Product Variant Information section