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Référence fabricant
STH2N120K5-2AG
Mosfet
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :H2PAK Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STH2N120K5-2AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STH2N120K5-2AG&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sth2n120k5-2ag-stmicroelectronics-9126222
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STMicroelectronics STH2N120K5-2AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10Ω |
| Rated Power Dissipation: | 60W |
| Qg Gate Charge: | 5.3nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 1.5A |
| Turn-on Delay Time: | 10.3ns |
| Turn-off Delay Time: | 34ns |
| Rise Time: | 7.8ns |
| Fall Time: | 39ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 124pF |
| Style d'emballage : | H2PAK |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$2.26
2 000
$2.24
3 000+
$2.22
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
H2PAK
Méthode de montage :
Surface Mount