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Référence fabricant
STY145N65M5
Single N-Channel 650 V 625 W 414 nC MDmesh Through Hole Mosfet - MAX-247
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :MAX-247 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STY145N65M5 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STY145N65M5&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sty145n65m5-stmicroelectronics-2050563
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STMicroelectronics STY145N65M5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.015Ω |
| Rated Power Dissipation: | 625W |
| Qg Gate Charge: | 414nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 138A |
| Rise Time: | 11ns |
| Fall Time: | 82ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Technology: | MDmesh |
| Height - Max: | 20.3mm |
| Length: | 15.9mm |
| Input Capacitance: | 18500pF |
| Style d'emballage : | MAX-247 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$26.91
60
$26.76
90
$26.67
150
$26.57
300+
$26.33
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
MAX-247
Méthode de montage :
Through Hole