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Référence fabricant
IMZC120R012M2HXKSA1
N-Channel 1200 V 129 A 12 mOhms 124 nC Through Hole SiC MOSFET TO-247-4
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2447 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMZC120R012M2HXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMZC120R012M2HXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imzc120r012m2hxksa1-infineon-8195663
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Infineon IMZC120R012M2HXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 129A |
| Input Capacitance: | 4050pF |
| Power Dissipation: | 480W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
2
États-Unis:
2
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$15.96
5
$15.75
25
$15.55
50
$15.46
150+
$15.20
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole