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onsemi | NTHL060N090SC1

Référence fabricant

NTHL060N090SC1

N-Channel 900 V 46 A 221 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-3
Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NTHL060N090SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 900V
Drain Current: 46A
Input Capacitance: 1770pF
Power Dissipation: 221W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
33 300
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
450
Multiples de :
450
tariff icon
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Total 
3 181,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
450
$7.07
900+
$7.02
Product Variant Information section