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Référence fabricant

IRF054

Single N-Channel 60 V 150 W 180 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRF054 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.022Ω
Rated Power Dissipation: 150|W
Qg Gate Charge: 180nC
Style d'emballage :  TO-3 (TO-204)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
100
Multiples de :
20
Total 
2 520,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
20
$25.64
40
$25.45
60
$25.34
80+
$25.20
Product Variant Information section