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Référence fabricant
BM3G015MUV-LBE2
BM3G0 Series 650 V 150 mOhm 2 MHz SMT GaN HEMT Power Stage - VQFN-46
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :VQFN-46 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
ROHM BM3G015MUV-LBE2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BM3G015MUV-LBE2&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--gallium-nitride-mosfets-gan-mosfets/bm3g015muv-lbe2-rohm-8180810
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ROHM BM3G015MUV-LBE2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | GaN |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain Current: | 14.7A |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Operating Temp Range: | -40°C to +105°C |
| Style d'emballage : | VQFN-46 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$4.09
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
VQFN-46
Méthode de montage :
Surface Mount