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Référence fabricant
BSL308PEH6327XTSA1
BSL308PE Series 30 V 2 A 80 mOhm 0.5 W 5 nC Dual P-Channel MOSFET - TSOP-6
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23-6 (SOT-26) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2510 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSL308PEH6327XTSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSL308PEH6327XTSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsl308peh6327xtsa1-infineon-6183571
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Infineon BSL308PEH6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | Dual P-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 80mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 500mW |
| Qg Gate Charge: | 5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 2A |
| Turn-on Delay Time: | 5.6ns |
| Turn-off Delay Time: | 15.3ns |
| Rise Time: | 7.7ns |
| Fall Time: | 2.8ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1V |
| Input Capacitance: | 500pF |
| Style d'emballage : | SOT-23-6 (SOT-26) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.157
9 000
$0.154
12 000
$0.153
30 000
$0.151
45 000+
$0.149
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23-6 (SOT-26)
Méthode de montage :
Surface Mount