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Référence fabricant
FDMS86200DC
Single N-Channel 150 V 3.2 W 42 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWER 56-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDMS86200DC - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMS86200DC&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdms86200dc-onsemi-7187535
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onsemi FDMS86200DC - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.2W |
| Qg Gate Charge: | 42nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 9.3A |
| Turn-on Delay Time: | 16ns |
| Turn-off Delay Time: | 23ns |
| Rise Time: | 10ns |
| Fall Time: | 10ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1mm |
| Length: | 4.9mm |
| Input Capacitance: | 2110pF |
| Style d'emballage : | POWER 56-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$2.35
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWER 56-8
Méthode de montage :
Surface Mount