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Référence fabricant
FDN5632N-F085
Single N-Channel 60 V 135 mOhm 12 nC 1.1 W PowerTrench SMT Mosfet - SSOT-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDN5632N-F085 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDN5632N-F085&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdn5632n-f085-onsemi-3070179
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onsemi FDN5632N-F085 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 82mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.1W |
| Qg Gate Charge: | 9.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 1.7A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 5.2ns |
| Rise Time: | 1.7ns |
| Fall Time: | 1.3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | PowerTrench |
| Input Capacitance: | 475pF |
| Style d'emballage : | SSOT-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.255
6 000
$0.25
12 000+
$0.245
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-3
Méthode de montage :
Surface Mount