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Référence fabricant
IRFB4227PBFXKMA1
200V 65A 24mOhms N-Channel TO-220AB
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2512 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFB4227PBFXKMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFB4227PBFXKMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfb4227pbfxkma1-infineon-4187931
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Infineon IRFB4227PBFXKMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 24mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 330W |
| Qg Gate Charge: | 70nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 65A |
| Turn-on Delay Time: | 33ns |
| Turn-off Delay Time: | 21ns |
| Rise Time: | 20ns |
| Fall Time: | 31ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 5V |
| Input Capacitance: | 4600pF |
| Series: | HEXFET |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
26 000
États-Unis:
26 000
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.695
250
$0.675
1 000
$0.655
2 500
$0.645
6 250+
$0.62
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole