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Référence fabricant
NVMFS5C612NLWFAFT1G
60V, 250A, 1.36mOhm, N-Channel, AEC-Q101, SO-8FL
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1500 par Reel Style d'emballage :DFN-5 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NVMFS5C612NLWFAFT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NVMFS5C612NLWFAFT1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nvmfs5c612nlwfaft1g-onsemi-5117196
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onsemi NVMFS5C612NLWFAFT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.36mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.8W |
| Qg Gate Charge: | 91nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 38A |
| Turn-on Delay Time: | 19ns |
| Turn-off Delay Time: | 47ns |
| Rise Time: | 51ns |
| Fall Time: | 18ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 6660pF |
| Style d'emballage : | DFN-5 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 500
$2.25
3 000+
$2.22
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1500 par Reel
Style d'emballage :
DFN-5
Méthode de montage :
Surface Mount