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Référence fabricant
RS6N120BHTB1
RS6N120 Series 80 V 135A 104W N-Channel Surface Mount MOSFET HSOP-8
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :HSOP-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2306 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM RS6N120BHTB1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=RS6N120BHTB1&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/rs6n120bhtb1-rohm-4177153
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ROHM RS6N120BHTB1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.9mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3W |
| Qg Gate Charge: | 53nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 135A |
| Turn-on Delay Time: | 32ns |
| Turn-off Delay Time: | 73ns |
| Rise Time: | 47ns |
| Fall Time: | 35ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 3420pF |
| Style d'emballage : | HSOP-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
10 000
États-Unis:
10 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.68
5 000
$0.67
7 500
$0.665
10 000
$0.66
12 500+
$0.65
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
HSOP-8
Méthode de montage :
Surface Mount