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Référence fabricant
STB26NM60N
N-Channel 600 V 0.165 Ohm Surface Mount MDmesh II Power MosFet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STB26NM60N - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB26NM60N&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb26nm60n-stmicroelectronics-5008521
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STMicroelectronics STB26NM60N - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 165mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 140|W |
| Qg Gate Charge: | 60nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The STB26NM60N is a N-channel 600 V, 0.135 Ω, 20 A MDmesh™ II Power MOSFET. These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology.
This revolutionary Power MOSFET applies a new vertical structure to the company’s strip layout to yield a device with one of the world’s lowest on-resistance and gate charge, making it suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Features:
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
Applications:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount