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Référence fabricant
STB30NF20
N-Channel 200 V 30 A 75 mOhm 125 W Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2439 | ||||||||||
STMicroelectronics STB30NF20 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB30NF20&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb30nf20-stmicroelectronics-6016464
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STMicroelectronics STB30NF20 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 125|W |
| Qg Gate Charge: | 38nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The STB30NF20 is a N-channel Low gate charge STripFET™ Power MOSFET. This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge.
It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters. It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 150 °C and available in a D²PAK Package.
Features:
- Gate charge minimized
- 100% avalanche tested
- Excellent figure of merit (RDS*Qg)
- Very good manufactuing repeability
- Very low intrinsic capacitances
Applications:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount