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Référence fabricant
STB85NF55LT4
STB85NF55L Series 55 V 0.0060 Ohm 80 A N-Ch. STripFET™ II Power Mosfet - D2PAK-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STB85NF55LT4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB85NF55LT4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb85nf55lt4-stmicroelectronics-6183594
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STMicroelectronics STB85NF55LT4 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.008Ω |
| Rated Power Dissipation: | 300|W |
| Qg Gate Charge: | 110nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The STB85NF55LT4 is a Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "single feature size" strip-based process.
The resulting transistorshows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics andless critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Features:
- Low threshold drive
Application:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount