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Référence fabricant
STD14NM50NAG
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOS
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STD14NM50NAG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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STMicroelectronics STD14NM50NAG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 320mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 90W |
| Qg Gate Charge: | 27nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 12A |
| Turn-on Delay Time: | 12ns |
| Turn-off Delay Time: | 42ns |
| Rise Time: | 16ns |
| Fall Time: | 22ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 816pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.905
5 000
$0.895
7 500+
$0.88
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount