STD2N80K5 in Reel by STMicroelectronics | Mosfet | Future Electronics
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Référence fabricant

STD2N80K5

N-Channel 800 V 4.5 Ohm Surface Mount MDmesh™ K5 Power Mosfet - DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2433
Product Specification Section
STMicroelectronics STD2N80K5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 800V
Drain-Source On Resistance-Max: 4.5Ω
Rated Power Dissipation: 45W
Qg Gate Charge: 5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 2A
Turn-on Delay Time: 8ns
Turn-off Delay Time: 19ns
Rise Time: 12ns
Fall Time: 32ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 105pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
1 637,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.655
5 000+
$0.64
Product Variant Information section