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Référence fabricant
STP11NK50Z
Single N-Channel 500 V 125 W 68 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP11NK50Z - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP11NK50Z&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp11nk50z-stmicroelectronics-7104450
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STMicroelectronics STP11NK50Z - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.52Ω |
| Rated Power Dissipation: | 125W |
| Qg Gate Charge: | 49nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 10A |
| Turn-on Delay Time: | 14.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 41ns |
| Rise Time: | 18ns |
| Fall Time: | 15ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.75V |
| Input Capacitance: | 1390pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$1.24
40
$1.23
150
$1.21
750
$1.19
2 500+
$1.16
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole