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Référence fabricant
STW18N60DM2
STW18N60 Series 600 V 12 A 295 mOhm Through Hole N-Ch Power MOSFET - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STW18N60DM2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STW18N60DM2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stw18n60dm2-stmicroelectronics-6088466
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STMicroelectronics STW18N60DM2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 295mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 110W |
| Qg Gate Charge: | 20nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 12A |
| Turn-on Delay Time: | 13.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 9.5ns |
| Rise Time: | 8ns |
| Fall Time: | 32.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | MDmesh |
| Input Capacitance: | 800pF |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$1.56
120
$1.54
600
$1.51
1 200
$1.50
3 750+
$1.47
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole