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Référence fabricant
SCT011H75G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT011H75G3AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT011H75G3AG&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct011h75g3ag-stmicroelectronics-7133194
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STMicroelectronics SCT011H75G3AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 750V |
| Drain Current: | 110A |
| Input Capacitance: | 3831pF |
| Power Dissipation: | 652W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$14.63
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount