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Référence fabricant
NXH003P120M3F2PTNG
NXH003P120 Series 1200 V 435 A 5 mOhm Dual N-Channel SiC MOSFET Module - PIM-36
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :20 par Tray Méthode de montage :Press Fit |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NXH003P120M3F2PTNG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NXH003P120M3F2PTNG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/nxh003p120m3f2ptng-onsemi-8181219
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NXH003P120M3F2PTNG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/nxh003p120m3f2ptng-onsemi-8181219
onsemi NXH003P120M3F2PTNG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 22V |
| Mounting Style: | Vertical |
| Isolation Voltage-RMS: | 4800V |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 435A |
| Configuration: | Half Bridge |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| Méthode de montage : | Press Fit |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix unitaire
20+
$222.38
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
20 par Tray
Méthode de montage :
Press Fit