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Référence fabricant
A2P75S12M3-F
A2P75S12M3-F Series 1200 V 75 A trench gate field-stop IGBT - ACEPACK™ 2
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Bulk Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics A2P75S12M3-F - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=A2P75S12M3-F&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/a2p75s12m3-f-stmicroelectronics-7095589
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STMicroelectronics A2P75S12M3-F - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 1200V |
| Power Dissipation-Tot: | 454.5W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 150A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.95V |
| Turn-on Delay Time: | 198ns |
| Turn-off Delay Time: | 250ns |
| Qg Gate Charge: | 350nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 200ns |
| Leakage Current: | 500nA |
| Input Capacitance: | 4700pF |
| Thermal Resistance: | 0.3°C/W |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| No of Terminals: | 33 |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$75.69
4
$74.68
15
$73.72
30
$73.22
75+
$72.09
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Méthode de montage :
Chassis Mount