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Référence fabricant

APTM100TA35SCTPG

APTM100 Series 1000 Vds 22 A 420 mOhm at 11A 390 W N-Channel 3-Phase Bridge

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Microchip
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Microchip APTM100TA35SCTPG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 6
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1000V
Drain-Source On Resistance-Max: 420mΩ
Rated Power Dissipation: 390W
Qg Gate Charge: 186nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 22A
Turn-on Delay Time: 18ns
Turn-off Delay Time: 155ns
Rise Time: 12ns
Fall Time: 40ns
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Gate Source Threshold: 5V
Technology: SiC
Input Capacitance: 5.2nF
Style d'emballage :  Module
Méthode de montage : Chassis Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
357,47 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$357.47
3
$351.88
5
$349.31
10
$345.86
20+
$340.45
Product Variant Information section