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Référence fabricant

BUZ11-NR4941

BUZ11: Series 50 V 30 mOhm 75 W Through Hole N-channel Power Mosfet - TO-220AB

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi BUZ11-NR4941 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 50V
Drain-Source On Resistance-Max: 40mΩ
Rated Power Dissipation: 75W
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 30A
Turn-on Delay Time: 30ns
Turn-off Delay Time: 180ns
Rise Time: 70ns
Fall Time: 130ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: TrenchMOS
Input Capacitance: 1500pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
1600
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
720,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$0.48
200
$0.465
750
$0.455
1 250
$0.45
2 500+
$0.435
Product Variant Information section