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Référence fabricant
IPW65R048CFDAFKSA1
MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPW65R048CFDAFKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPW65R048CFDAFKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipw65r048cfdafksa1-infineon-5119088
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Infineon IPW65R048CFDAFKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 48mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 500W |
| Qg Gate Charge: | 270nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 63.3A |
| Turn-on Delay Time: | 22ns |
| Turn-off Delay Time: | 85ns |
| Rise Time: | 10ns |
| Fall Time: | 4ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 7440pF |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4
$5.87
20
$5.81
75
$5.76
200
$5.73
750+
$5.64
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole