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Vishay | VS-3C10ET07T-M3

Référence fabricant

VS-3C10ET07T-M3

650 V Power SiC Gen 3 Merged PIN Schottky Diode, 10 A

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2310
Product Specification Section
Vishay VS-3C10ET07T-M3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Average Rectified Current-Max: 10A
Peak Current-Max: 60A
Reverse Voltage-Max [Vrrm]: 650V
Reverse Current-Max: 55µA
Forward Voltage: 1.5V
Diode Capacitance-Max: 445pF
Operating Temp Range: 2.3°C
Leakage Current: 55µA
Power Dissipation: 64W
Configuration: Single
Style d'emballage :  TO-220-2 (TO-220AC)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
950
États-Unis:
950
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
50
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
68,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.37
150
$1.35
250
$1.34
750
$1.32
1 250+
$1.31
Product Variant Information section