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Référence fabricant
2N5550TFR
2N5550 Series 140 V 600 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Style d'emballage :TO-92 Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi 2N5550TFR - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Chine continentale
Code HTS:
8541.21.00.75
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2N5550TFR&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/2n5550tfr-onsemi-6100397
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2N5550TFR&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/2n5550tfr-onsemi-6100397
onsemi 2N5550TFR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| Type: | General Purpose |
| CE Voltage-Max: | 140V |
| Collector Current Max: | 600mA |
| Power Dissipation-Tot: | 625mW |
| Collector - Base Voltage: | 160V |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 0.25V |
| Emitter - Base Voltage: | 6V |
| DC Current Gain-Min: | 20 |
| Collector - Current Cutoff: | 100nA |
| Configuration: | Single |
| Frequency - Transition: | 300MHz |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Noise Figure: | 10dB |
| Input Capacitance: | 30pF |
| Style d'emballage : | TO-92 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
25 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.0512
6 000
$0.0498
8 000
$0.0495
20 000
$0.0484
30 000+
$0.0473
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Style d'emballage :
TO-92
Méthode de montage :
Through Hole