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Référence fabricant
PMPB85ENEAX
PMPB85ENEA Series 60 V 4.4 A Surface Mount N-Channel Trench MOSFET - DFN2020MD-6
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-1220 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Nexperia PMPB85ENEAX - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=PMPB85ENEAX&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/pmpb85eneax-nexperia-1109938
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Nexperia PMPB85ENEAX - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 95mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.3W |
| Qg Gate Charge: | 6.2nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 4.4A |
| Turn-on Delay Time: | 4ns |
| Turn-off Delay Time: | 10.5ns |
| Rise Time: | 3.5ns |
| Fall Time: | 4.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.7V |
| Input Capacitance: | 305pF |
| Style d'emballage : | SOT-1220 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.24
6 000
$0.235
15 000
$0.23
30 000+
$0.225
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-1220
Méthode de montage :
Surface Mount