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Référence fabricant
PSMN102-200Y,115
PSMN102 Series 200 V 21.5A N-Ch. TrenchMOS SiliconMAX Standard Level FET - LFPAK
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1500 par Reel Style d'emballage :SOT-669 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2523 | ||||||||||
Product Specification Section
Nexperia PSMN102-200Y,115 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=PSMN102-200Y,115&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/psmn102-200y-115-nexperia-4068316
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Nexperia PSMN102-200Y,115 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 102mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 113W |
| Qg Gate Charge: | 30.7nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 21.5A |
| Turn-on Delay Time: | 14.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 33ns |
| Rise Time: | 29.5ns |
| Fall Time: | 28ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | TrenchMOS |
| Input Capacitance: | 1568pF |
| Style d'emballage : | SOT-669 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1 500
$1.07
4 500
$1.06
7 500+
$1.05
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1500 par Reel
Style d'emballage :
SOT-669
Méthode de montage :
Surface Mount