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Référence fabricant
STH180N10F3-2
N-Channel 100 V 4.5 mOhm Surface Mount STripFET™F3 Power Mosfet -H2PAK
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STH180N10F3-2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STH180N10F3-2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sth180n10f3-2-stmicroelectronics-4118044
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STMicroelectronics STH180N10F3-2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 315W |
| Qg Gate Charge: | 114.6nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 180A |
| Turn-on Delay Time: | 25.6ns |
| Turn-off Delay Time: | 99.9ns |
| Rise Time: | 97.1ns |
| Fall Time: | 6.9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 6665pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$2.51
10
$2.43
40
$2.38
150
$2.34
500+
$2.28
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par
Méthode de montage :
Surface Mount