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Référence fabricant

STW24N60DM2

Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date: 2517
Product Specification Section
STMicroelectronics STW24N60DM2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.2Ω
Rated Power Dissipation: 150W
Qg Gate Charge: 29nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 18A
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 60ns
Rise Time: 8.7ns
Fall Time: 15ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 5V
Technology: Si
Height - Max: 20.15mm
Length: 15.75mm
Input Capacitance: 1055pF
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
1 104,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$1.92
40
$1.89
150
$1.86
400
$1.84
1 500+
$1.79